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磁性薄膜磁电阻测量仪

 
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所在地: 全国
有效期至: 长期有效
最后更新: 1970-01-01 08:00
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公司基本资料信息
详细说明
用四探针测量电阻率,可以避免电极接触电阻对测量结果的影响,因此在国内外早已被广泛用来测量金属、半导体、导电高分子材料的电阻率。另外本仪器还在四探针样品台两侧加上亥姆霍兹线圈,用其提供一个可调磁场,用来测量磁性金属薄膜的磁电阻率。
用途:
(1) 金属、半导体、导电高分子薄膜(块体)电阻率的测量;
(2) 金属薄膜材料电阻率的测量(最大厚度0.2毫米);金属材料电阻率的测量(最大厚度6毫米)
(3) 磁性合金薄膜的磁电阻测量;
(4) 铁磁/非磁性/铁磁三层或多层薄膜的磁电阻测量;
(5) 自旋阀型巨磁电阻薄膜、隧道结型巨磁薄膜的磁电阻测量。
仪器组成:
1、 亥姆霍兹线圈
由亥姆霍兹线圈提供磁场,线圈可在360度范围内绕样品旋转;
四探针组件是由具有引线的四根探针组成。
2、 SB118精密直流电流源
输出电流在10-6~0.2安培范围内可调
3、 直流数字电压表
具有6位半字长、0.1微伏电压分辨率的带单片微机处理技术的高精度电子测量仪器。
4、 直流磁场电源
输出电流在0~10安培
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