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1000A(100nm)氧化栅极固态剂量计

 
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所在地: 全国
有效期至: 长期有效
最后更新: 1970-01-01 08:00
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公司基本资料信息
详细说明
1000A(100nm)氧化栅极固态剂量计

技术要求
典型数值在27°C

氧化层厚度1000A

辐射Vth灵敏度
辐射场 = 0.125 MV/cm : 灵敏度 = 0.09mV/rad 
辐射场= 0 MV/cm : 灵敏度= 0.014mV/rad 
(灵敏度在 30 krad(H2O),在以下读写器的配置中使用一个恒量10µA) 

温度补偿
TVTC 2.5mV/°C
(该数据出自温度27°C-100°C线性模式中的外推Vtp数值) 
线性模式中Z.T.C. 数值 ~ 3µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1) 
饱和模式中Z.T.C.数值 ~ 30µA
(使用以下读写器电路配置) 
预辐射剂量计的特点
阈值电压(外推)-2.15 +/- 0.1V 
Vth漂移时间(秒)2.2mV/十年
(该数据出自读写器配置强迫40µA.) 
氧化层击穿电压 ~ 75V 
沟道漏电流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 10 pA 
亚阈值斜率100 +/- 20 mV/十年 
沟道电阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.3 Mohms 
北京华恒鑫达公司还提供深水高纯锗谱仪、蓄水池全自动水样核素活度监测系统、同轴高纯锗探测器GCD系列(液氮致冷)、平面型高纯锗探测器GPD系列(液氮致冷)、便携式高纯锗γ射线谱仪、手持式高纯锗探测器、自带铅室高纯锗谱仪、液体和气体流量核素分析的屏蔽高纯锗谱仪、移动式高纯锗谱仪(现场使用)、X γ射线高纯锗谱仪(电致冷)、流动式高纯锗谱仪、CdZn TeCdTe探测器和相关电子附件等相关产品。

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